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FDS4435BZ  与  IRF7416TRPBF  区别

型号 FDS4435BZ IRF7416TRPBF
唯样编号 A36-FDS4435BZ A-IRF7416TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id - 10A
Rds On(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@5.6A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1700pF @ 25V
漏源极电压Vds - 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 92nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
FET类型 - P-Channel
库存与单价
库存 5,481 4,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
30+ :  ¥1.87
100+ :  ¥1.43
1,250+ :  ¥1.243
2,500+ :  ¥1.177
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4435BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.87 

阶梯数 价格
30: ¥1.87
100: ¥1.43
1,250: ¥1.243
2,500: ¥1.177
5,481 当前型号
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥0.9724 

阶梯数 价格
60: ¥0.9724
200: ¥0.748
1,500: ¥0.6501
3,000: ¥0.605
16,936 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,667 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

暂无价格 1 对比
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SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥2.5734 

阶梯数 价格
480: ¥2.5734
1,000: ¥2.025
1,500: ¥1.5836
3,000: ¥1.2352
0 对比

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