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FDS4435BZ  与  IRF9332PBF  区别

型号 FDS4435BZ IRF9332PBF
唯样编号 A36-FDS4435BZ A-IRF9332PBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1270pF @ 25V
FET类型 - P 通道
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 17.5 毫欧 @ 9.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 5,492 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.87
100+ :  ¥1.43
1,250+ :  ¥1.243
2,500+ :  ¥1.177
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4435BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.87 

阶梯数 价格
30: ¥1.87
100: ¥1.43
1,250: ¥1.243
2,500: ¥1.177
5,492 当前型号
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.0076 

阶梯数 价格
50: ¥1.0076
200: ¥0.7755
1,500: ¥0.6732
3,000: ¥0.627
4,936 对比
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
AOSP21321 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,667 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

暂无价格 1 对比
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SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥2.5734 

阶梯数 价格
480: ¥2.5734
1,000: ¥2.025
1,500: ¥1.5836
3,000: ¥1.2352
0 对比

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