FDS6675BZ 与 RRH100P03TB1 区别
| 型号 | FDS6675BZ | RRH100P03TB1 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDS6675BZ-1 | A32-RRH100P03TB1-1 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8 | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 650mW(Ta) | ||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 3600pF @ 10V | ||||||||||||
| FET类型 | - | P 通道 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOP | ||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 12.6 毫欧 @ 10A,10V | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 10A(Ta) | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 39nC @ 5V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 347 | 2,500 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDS6675BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥1.8003
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347 | 当前型号 | ||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥13.0849
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥12.6505
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥12.6505
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥12.1805
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3020LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±25V 2.5W(Ta) 14mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A |
￥1.529
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758 | 对比 |
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