FDS6675BZ 与 DMP3020LSS-13 区别
| 型号 | FDS6675BZ | DMP3020LSS-13 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDS6675BZ | A36-DMP3020LSS-13 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8 | MOSFET P-CH 30V 12A 8SOP | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 14mΩ@8A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta) | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±25V | ||||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOP | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1802pF @ 15V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 30.7nC @ 10V | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 7,579 | 758 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDS6675BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥2.7058
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7,579 | 当前型号 | ||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥13.0849
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥12.6505
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥12.6505
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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RRH100P03TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥12.1805
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2,500 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3020LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±25V 2.5W(Ta) 14mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A |
￥1.529
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758 | 对比 |
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