FDS8858CZ 与 SI4532CDY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS8858CZ | SI4532CDY-T1-GE3 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDS8858CZ | A36-SI4532CDY-T1-GE3 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | Dual N/P-Channel 30 V 1.6 W 24/46 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | MOSFET | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SOIC | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 6A,4.3A | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 47 mOhms @ 3.5A,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.78W | ||||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||||||||||||
| FET类型 | - | N+P-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 686 | 20,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDS8858CZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥3.85
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686 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4616 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.606
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7,528 | 对比 | ||||||||||||
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AO4616 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.7372
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0 | 对比 | ||||||||||||
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AO4616 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V ±20V 8.5A 2W 20mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
￥2.134
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20,000 | 对比 | ||||||||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A,4.3A N+P-Channel 47 mOhms @ 3.5A,10V 2.78W 8-SOIC -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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