FQB55N10TM 与 STB60NF10T4 区别
| 型号 | FQB55N10TM | STB60NF10T4 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FQB55N10TM | A3-STB60NF10T4 |
| 制造商 | ON Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 100 V 0.026 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 3.75W(Ta),155W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 26 毫欧 @ 27.5A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.75W(Ta),155W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±25V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | TO-263-3 |
| 连续漏极电流Id | 55A | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 系列 | QFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2730pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2730pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 98nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 2,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FQB55N10TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
55A(Tc) ±25V 3.75W(Ta),155W(Tc) 26m Ohms@27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 100V 55A 26 毫欧 @ 27.5A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||
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STB60NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
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AOB2910L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 30A 50W 23.5mΩ@10V |
￥5.102
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800 | 对比 | ||||||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PHB27NQ10T,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 107W 175°C 3V 100V 28A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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