FQD13N10LTM 与 SIHLR120-GE3 区别
| 型号 | FQD13N10LTM | SIHLR120-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-FQD13N10LTM | A3t-SIHLR120-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 10 A 180 mOhm QFET® Mosfet - DPAK-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | TO-252 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 7.7A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 270 mOhms @ 4.6A,5V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W,42W | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±10V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 2V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 8,565 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FQD13N10LTM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
￥2.068
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8,565 | 当前型号 | ||||||||||
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IRLR120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
185mΩ@6A,10V ±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BUK7275-100A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 89W 175°C 3V 100V 21.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIHLR120-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,5V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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