IXTP60N10T 与 IRF3710PBF 区别
| 型号 | IXTP60N10T | IRF3710PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-IXTP60N10T | A-IRF3710PBF | ||||
| 制造商 | IXYS | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 100 V 18 mOhm 176 W Power Mosfet - TO-220 | Single N-Channel 100 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 23mΩ@28A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 200W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | - | TO-220AB | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 57A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3130pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 50 | 1,000 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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IXTP60N10T | IXYS | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥5.478
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50 | 当前型号 | |||||||
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IRF3710PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 23mΩ@28A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB N-Channel 100V 57A |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
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STP60NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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|
STP60NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
PSMN016-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 148W 175°C 3V 100V 57A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN017-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 103W 175°C 3V 80V 50A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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