IXTP60N10T 与 AOT412 区别
| 型号 | IXTP60N10T | AOT412 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-IXTP60N10T | A36-AOT412 | ||||
| 制造商 | IXYS | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single N-Channel 100 V 18 mOhm 176 W Power Mosfet - TO-220 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | - | 100 | ||||
| Td(off)(ns) | - | 27 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 15.8mΩ@10V | ||||
| ESD Diode | - | No | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 19.4mΩ | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 150W | ||||
| Qrr(nC) | - | 96 | ||||
| VGS(th) | - | 3.8 | ||||
| Qgd(nC) | - | 15 | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 25V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| Td(on)(ns) | - | 19 | ||||
| 封装/外壳 | - | TO-220 | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||
| Ciss(pF) | - | 2680 | ||||
| Schottky Diode | - | No | ||||
| Trr(ns) | - | 22 Ohms | ||||
| Coss(pF) | - | 260 | ||||
| Qg*(nC) | - | 45 | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 50 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP60N10T | IXYS | 数据手册 | 功率MOSFET |
￥5.478
|
50 | 当前型号 | |||||||
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IRF3710PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 23mΩ@28A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB N-Channel 100V 57A |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||
|
STP60NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
STP60NF10 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
PSMN016-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 148W 175°C 3V 100V 57A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
PSMN017-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 103W 175°C 3V 80V 50A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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