MBT3906DW1T1G 与 UMT1NTN 区别
| 型号 | MBT3906DW1T1G | UMT1NTN | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-MBT3906DW1T1G-1 | A32-UMT1NTN-13 | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | UMT1N Series 50 V 150 mA Dual PNP General Purpose Isolated Transistor-SOT-363 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-363 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||||||
| VCBO | - | -60V | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||
| 特征频率fT | - | 140MHz | ||||||||||
| VEBO | - | -6V | ||||||||||
| 集电极连续电流 | - | -150mA | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | -500mV | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | - | 120 | ||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | -50V | ||||||||||
| 晶体管类型 | - | PNP | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 215 | 108,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MBT3906DW1T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 | 暂无价格 | 215 | 当前型号 | |||||||||||||
|
UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
￥0.4268
|
108,000 | 对比 | ||||||||||||
|
BC857BS,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW -45V -100mA -400mV 200 100MHz PNP |
￥0.3926
|
106,587 | 对比 | ||||||||||||
|
|
UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
暂无价格 | 60,070 | 对比 | ||||||||||||
|
MMDT4403-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW -40V -600mA -750mV 100 200MHz 2PNP |
￥0.4508
|
38,108 | 对比 | ||||||||||||
|
|
UMT1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
￥0.4879
|
29,579 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
