MGSF1N02LT1G 与 DMN2005K-7 区别
| 型号 | MGSF1N02LT1G | DMN2005K-7 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-MGSF1N02LT1G | A36-DMN2005K-7 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) | SOT-23-3 | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -65°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 300mA(Ta) | ||||||||||||
| 驱动电压 | - | 1.8V,2.7V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 350mW(Ta) | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 1.7Ω@200mA,2.7V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±10V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 9,962 | 425 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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MGSF1N02LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
￥1.133
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9,962 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥1.0057
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27,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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19,414 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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5,314 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 350mW(Ta) ±10V SOT-23-3 -65°C~150°C(TJ) 20V 300mA(Ta) |
￥0.9009
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425 | 对比 | ||||||||||||||||
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DMG2302U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 800mW(Ta) 90mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 4.2A |
￥0.5239
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420 | 对比 |
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