NDT2955 与 DMP6250SE-13 区别
| 型号 | NDT2955 | DMP6250SE-13 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NDT2955 | A36-DMP6250SE-13 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Single P-Channel 60 V 3 W 15 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率 | 3W(Ta) | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 300 毫欧 @ 2.5A,10V | 250mΩ@1A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta) | 1.8W(Ta),14W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 2.5A(Ta) | 2.1A | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 601pF @ 30V | 551pF @ 30V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | 9.7nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 601pF @ 30V | - | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 899 | 1 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NDT2955 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 |
￥1.793
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899 | 当前型号 | |||||||
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ZXMP6A13GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 390mΩ@900mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.3A |
￥1.936
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849 | 对比 | ||||||
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DMP6250SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.8W(Ta),14W(Tc) 250mΩ@1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.1A |
暂无价格 | 1 | 对比 | ||||||
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ZXMP6A13GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 390mΩ@900mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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ZXMP6A13GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 390mΩ@900mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SIHFL9014TR-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) P-Channel 500 mOhms @ 1.1A,10V 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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