NTF3055-100T1G 与 NDT3055 区别
| 型号 | NTF3055-100T1G | NDT3055 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NTF3055-100T1G | A36-NDT3055 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 0.1 O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-223 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率 | 1.3W(Ta) | 3W | ||||||||||||
| 宽度 | - | 3.7mm | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 110 毫欧 @ 1.5A,10V | 180 m0hms | ||||||||||||
| 引脚数目 | - | 3+Tab | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | -20 V、+20 V | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | 6.7*3.7*1.7mm | ||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -65°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3A | 4 A | ||||||||||||
| 长度 | - | 6.7mm | ||||||||||||
| 最低工作温度 | - | -65 °C | ||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||||||||||||
| 最高工作温度 | - | +150 °C | ||||||||||||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||||||||||||
| 正向二极管电压 | - | 1.2V | ||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 250pF @ 30V | ||||||||||||
| 高度 | - | 1.7mm | ||||||||||||
| 典型关断延迟时间 | - | 37 ns | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 250 pF @ 30 V | ||||||||||||
| 晶体管材料 | - | Si | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3W(Ta) | ||||||||||||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | 增强 | ||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 455pF @ 25V | 250pF @ 30V | ||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | 15nC @ 10V | ||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 10 ns | ||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 10V | ||||||||||||
| 正向跨导 | - | 6S | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 165 | 2,783 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NTF3055-100T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 110 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~175°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 3A |
￥2.607
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165 | 当前型号 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
￥1.496
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10,605 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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NDT3055 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V |
￥1.716
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2,783 | 对比 | |||||||||||||
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IRLL014NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMS6006SGTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-223 |
￥3.762
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885 | 对比 |
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