NTF3055L108T1G 与 DMN6068SE-13 区别
| 型号 | NTF3055L108T1G | DMN6068SE-13 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-NTF3055L108T1G | A36-DMN6068SE-13 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261） | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 68mΩ@12A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-223-4 | SOT-223 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 5.6A | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 502pF @ 30V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.3nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 6,651 | 33 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NTF3055L108T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
￥2.794
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6,651 | 当前型号 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
￥1.419
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9,308 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 33 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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