NTJD4001NT1G 与 QS6K1TR 区别
| 型号 | NTJD4001NT1G | QS6K1TR | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-NTJD4001NT1G | A32-QS6K1TR-1 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6 | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | TSMT | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 1A | ||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 238mΩ@1A,4.5V | ||||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA | ||||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 77pF @ 10V | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.25W | ||||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.4nC @ 4.5V | ||||||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 8,110 | 5,990 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTJD4001NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-363 |
￥0.9196
|
8,110 | 当前型号 | ||||||||||||||||
|
UM6K1NTN | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 100mA 8Ω@10mA,4V 150mW 150°C(TJ) UMT N-Channel 30V 0.1A ±20V |
￥0.5775
|
18,000 | 对比 | ||||||||||||||||
|
QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥2.894
|
9,703 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥6.8274
|
5,990 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥7.0907
|
5,990 | 对比 | ||||||||||||||||
|
|
QS6K1TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A |
￥7.0907
|
5,990 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
