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NTR4101PT1G  与  DMG2301U-7  区别

型号 NTR4101PT1G DMG2301U-7
唯样编号 A36-NTR4101PT1G A36-DMG2301U-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23 P-Channel 20 V 80 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 420mW(Ta) 800mW(Ta)
漏源极电压Vds 20V 20V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A 2.7A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 675pF @ 10V 608pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V 6.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,4.5V
导通电阻Rds(On) 85m Ohms@1.6A,4.5V 130mΩ@2.8A,4.5V
库存与单价
库存 62,650 23,161
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6972
200+ :  ¥0.52
1,500+ :  ¥0.4732
3,000+ :  ¥0.442
150+ :  ¥0.3496
200+ :  ¥0.2608
1,500+ :  ¥0.2252
3,000+ :  ¥0.1995
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4101PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A

¥0.6972 

阶梯数 价格
80: ¥0.6972
200: ¥0.52
1,500: ¥0.4732
3,000: ¥0.442
62,650 当前型号
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 74mΩ@2.8A,4.5V 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

¥0.3107 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3107
6,000: ¥0.2983
300,000 对比
NTR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 27,000 对比
DMG2301U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 800mW(Ta) 130mΩ@2.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.7A

¥0.3496 

阶梯数 价格
150: ¥0.3496
200: ¥0.2608
1,500: ¥0.2252
3,000: ¥0.1995
23,161 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 74mΩ@2.8A,4.5V 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

暂无价格 16,385 对比
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 74mΩ@2.8A,4.5V 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

¥1.8544 

阶梯数 价格
530: ¥1.8544
1,000: ¥1.3736
1,500: ¥1.1259
3,000: ¥0.979
9,000 对比

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