NVMFS5C682NLAFT1G 与 RS6L120BGTB1 区别
| 型号 | NVMFS5C682NLAFT1G | RS6L120BGTB1 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-NVMFS5C682NLAFT1G | A33-RS6L120BGTB1 | ||||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET | |||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | HSOP8 (Single) | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 104W | ||||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 120A | ||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 2.7mΩ@90A,10V | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 577 | 661 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
￥3.212
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577 | 当前型号 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLT3G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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NVMFS5C682NLWFAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
￥15.5714
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661 | 对比 | ||||||||||||
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RS6L090BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 4.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 90A |
￥10.6461
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204 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
