PMV16XNR 与 DMG3414U-7 区别
| 型号 | PMV16XNR | DMG3414U-7 | ||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-PMV16XNR | A36-DMG3414U-7 | ||||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB | N-Channel 20 V 2.5 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 25mΩ | ||||||||||||||
| 上升时间 | - | 8.3ns | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.51W | 780mW | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 9.6nC | ||||||||||||||
| 输出电容 | 145pF | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 500mV | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 40.1ns | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT-23 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 8.6A | 4.2A | ||||||||||||||
| 系列 | - | DMG3414 | ||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA | ||||||||||||||
| 输入电容 | 1240pF | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 829.9pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9.6nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 20mΩ@6.8A,4.5V | - | ||||||||||||||
| 下降时间 | - | 9.6ns | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 8.1ns | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 1,160 | 5,663 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMV16XNR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±12V 20V 8.6A |
￥2.75
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1,160 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.7513
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42,112 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 780mW 25mΩ 20V 500mV |
￥0.6193
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5,663 | 对比 | ||||||||||||
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IRLML6244TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 21mΩ@6.3A,4.5V N-Channel 20V 6.3A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||
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AO3420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C |
￥0.641
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2,685 | 对比 | ||||||||||||
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DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 680mW(Ta) ±8V SC-59-3 -55°C~150°C(TJ) 12V 9.3A(Ta) |
￥0.9196
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1,819 | 对比 |
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