PMV50ENEAR 与 DMN3150L-7 区别
| 型号 | PMV50ENEAR | DMN3150L-7 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-PMV50ENEAR | A36-DMN3150L-7 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.9A TO236AB | MOSFET | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 宽度 | - | 1.3 mm | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 85mΩ@3.6A,4.5V | ||||||||||
| 上升时间 | - | 3.49 ns | ||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±12V | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT-23 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.9A | 3.8A | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 输入电容 | 276pF | - | ||||||||||
| 长度 | - | 2.9 mm | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V | ||||||||||
| 高度 | - | 1 mm | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 28V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.51W | 1.4W(Ta) | ||||||||||
| 输出电容 | 55pF | - | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 15.02 ns | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 系列 | - | DMN | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.4V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 305pF @ 5V | ||||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 43mΩ@3.9A,10V | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 1.14 ns | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 106 | 11,239 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PMV50ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.51W -55°C~150°C ±20V 30V 3.9A 车规 |
￥1.0384
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106 | 当前型号 | ||||||||||||
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DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥0.6019
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42,114 | 对比 | ||||||||||||
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DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 85mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 28V 3.8A |
￥0.6061
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11,239 | 对比 | ||||||||||||
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FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.9383
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8,844 | 对比 | |||||||||||||
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RQ5E030AJTCL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 3A(Ta) ±12V 1W(Tc) 75mΩ@3A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SC-96 |
暂无价格 | 6,170 | 对比 | ||||||||||||
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FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.9A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 60m Ohms@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT N-Channel 30V 1.9A 60 毫欧 @ 2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.408
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5,985 | 对比 |
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