RQ3E120GNTB 与 NTTFS4928NTWG 区别
| 型号 | RQ3E120GNTB | NTTFS4928NTWG | ||||
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| 唯样编号 | A36-RQ3E120GNTB | A-NTTFS4928NTWG | ||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | ||||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 2W | - | ||||
| 上升时间 | 4.5ns | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | - | ||||
| Qg-栅极电荷 | 10nC | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 25.5ns | - | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | 10S | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 封装/外壳 | HSMT-8 | 8-WDFN(3.3x3.3) | ||||
| 连续漏极电流Id | 12A | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| 下降时间 | 3.4ns | - | ||||
| 典型接通延迟时间 | 9.6ns | - | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 8.8mΩ@12A,10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 705 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12A 2W 8.8mΩ@12A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
¥2.604
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705 | 当前型号 | ||||||
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NTTFS4928NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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NTTFS4928NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AON6414A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥0.47
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0 | 对比 | ||||||
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NTTFS4928NTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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AON7416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 30V 14A(Ta),40A(Tc) ±12V 8.5mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) DFN3*3 EP 25W |
暂无价格 | 0 | 对比 |