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RQ3E180GNTB  与  AON7516  区别

型号 RQ3E180GNTB AON7516
唯样编号 A36-RQ3E180GNTB A36-AON7516
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 83
上升时间 6.9ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 6.8mΩ
Qg-栅极电荷 22.4nC -
Qgd(nC) - 5.5
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 17S -
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 HSMT-8 DFN 3x3 EP
连续漏极电流Id 18A 30A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 1229
下降时间 10.2ns -
导通电阻Rds(On) 4.3mΩ@18A,10V 4.5mΩ@10V
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 12.6
Td(off)(ns) - 24
功率耗散Pd 2W 25W
漏源极电压Vds 30V 30V
Qrr(nC) - 15.2
VGS(th) - 2.2
典型关闭延迟时间 56.8ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 16.5ns -
Coss(pF) - 526
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 2,941 10,556
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.1888
100+ :  ¥1.7556
750+ :  ¥1.5732
1,500+ :  ¥1.482
80+ :  ¥0.6661
500+ :  ¥0.5161
2,500+ :  ¥0.4686
5,000+ :  ¥0.442
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.1888 

阶梯数 价格
30: ¥2.1888
100: ¥1.7556
750: ¥1.5732
1,500: ¥1.482
2,941 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V

¥0.6661 

阶梯数 价格
80: ¥0.6661
500: ¥0.5161
2,500: ¥0.4686
5,000: ¥0.442
10,556 对比
AON7522E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥2.436 

阶梯数 价格
30: ¥2.436
100: ¥1.956
1,250: ¥1.74
2,500: ¥1.644
4,345 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9528 

阶梯数 价格
60: ¥0.9528
200: ¥0.6576
1,500: ¥0.6474
1,609 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
NTTFS4C06NTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3)

暂无价格 0 对比

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