RTR040N03TL 与 FDN337N 区别
| 型号 | RTR040N03TL | FDN337N | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-RTR040N03TL | A36-FDN337N | ||||||||||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ON Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | RTR020N05 Series N-Channel 30 V 48 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - TSMT-3 | N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 宽度 | 1.60mm | - | ||||||||||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||||||||||
| 上升时间 | 18ns | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 12V | ±8V | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSMT | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | ||||||||||||||||
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | 2.2A(Ta) | ||||||||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||||||||
| 长度 | 2.9mm | - | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | 2.5V,4.5V | ||||||||||||||||
| 下降时间 | 19ns | - | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 48mΩ | 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 300pF @ 10V | ||||||||||||||||
| 高度 | 0.85mm | - | ||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 1W | 500mW(Ta) | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 37ns | - | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 系列 | RTR040N03 | - | ||||||||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 1mA | 1V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 475pF @ 10V | 300pF @ 10V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.3nC @ 4.5V | 9nC @ 4.5V | ||||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 10ns | - | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9nC @ 4.5V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 9,000 | 96,801 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
￥1.0032
|
9,000 | 当前型号 | ||||||||||
|
AO3402 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C |
￥0.6048
|
239,556 | 对比 | ||||||||||
|
FDN337N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.8664
|
96,801 | 对比 | |||||||||||
|
AO3400A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 12V 5.7A 1.4W 26.5mΩ@10V |
￥0.7008
|
78,553 | 对比 | ||||||||||
|
DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.6A 1.4W 28mΩ 30V 1V N-Channel |
￥0.9216
|
59,374 | 对比 | ||||||||||
|
DMN3051L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 700mW(Ta) 38mΩ@5.8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 5.8A |
￥0.6795
|
44,696 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
