SI2307BDS-T1-GE3 与 DMP3130LQ-7 区别
| 型号 | SI2307BDS-T1-GE3 | DMP3130LQ-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI2307BDS-T1-GE3 | A3-DMP3130LQ-7 |
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 78 mOhms @ 3.2A,10V | 150mΩ |
| 上升时间 | - | 6.5ns |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Qg-栅极电荷 | - | 12nC |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | 1.3V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 8S |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 连续漏极电流Id | 2.5A(Ta) | 3.5A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 配置 | - | Single |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V |
| 下降时间 | - | 15ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 750mW(Ta) | 1.3W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 27.8ns |
| FET类型 | P-Channel | - |
| 系列 | - | 汽车级,AEC-Q101 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 864pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 24nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 4.6ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2307BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A(Ta) P-Channel 78 mOhms @ 3.2A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 77mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSS308PE H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 80mΩ@2A,10V 500mW -55°C~150°C ±20V 30V 2A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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