SI2312BDS-T1-GE3 与 SI2300-TP 区别
| 型号 | SI2312BDS-T1-GE3 | SI2300-TP | ||||||
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| 唯样编号 | A36-SI2312BDS-T1-GE3 | A-SI2300-TP | ||||||
| 制造商 | Vishay | MCC | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 31 mOhms @ 5A,4.5V | 25mΩ@4.5A,4.5V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 750mW(Ta) | 1W | ||||||
| Vgs(th) | 850mV @ 250uA | - | ||||||
| FET 类型 | - | N-Channel | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±10V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||
| 输入电容Ciss | - | 482pF @ 10V | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.9A(Ta) | 4.5A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| Vgs(最大值) | ±8V | - | ||||||
| 栅极电荷Qg | - | 4.2nC @ 4.5V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,465 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.9A(Ta) N-Channel 31 mOhms @ 5A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
￥1.474
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1,465 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C |
￥0.641
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2,689 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 780mW 25mΩ 20V 500mV |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 780mW 25mΩ 20V 500mV |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI2300-TP | MCC | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 4.5A 25mΩ@4.5A,4.5V 20V 1W ±10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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