SI2312BDS-T1-GE3 与 DMG3414U-7 区别
| 型号 | SI2312BDS-T1-GE3 | DMG3414U-7 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI2312BDS-T1-GE3 | A36-DMG3414U-7 | ||||||||||||||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | Single N-Channel 20 V 0.031 Ohm Surface Mount Power MosFet - SOT-23-3 | N-Channel 20 V 2.5 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 31 mOhms @ 5A,4.5V | 25mΩ | ||||||||||||||
| 上升时间 | - | 8.3ns | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 750mW(Ta) | 780mW | ||||||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 9.6nC | ||||||||||||||
| Vgs(th) | 850mV @ 250uA | - | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 500mV | ||||||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 40.1ns | ||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3.9A(Ta) | 4.2A | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 系列 | - | DMG3414 | ||||||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 829.9pF @ 10V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9.6nC @ 4.5V | ||||||||||||||
| Vgs(最大值) | ±8V | - | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V | ||||||||||||||
| 下降时间 | - | 9.6ns | ||||||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 8.1ns | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 1,465 | 6,355 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI2312BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
3.9A(Ta) N-Channel 31 mOhms @ 5A,4.5V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 20V |
￥1.474
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1,465 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3420 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±12V 6A 1.4W 24mΩ@6A,10V -55°C~150°C |
￥0.641
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2,689 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 780mW 25mΩ 20V 500mV |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 780mW 25mΩ 20V 500mV |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI2300-TP | MCC | 小信号MOSFET |
SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 4.5A 25mΩ@4.5A,4.5V 20V 1W ±10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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