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SI3483CDV-T1-GE3  与  FDC610PZ  区别

型号 SI3483CDV-T1-GE3 FDC610PZ
唯样编号 A36-SI3483CDV-T1-GE3 A36-FDC610PZ
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Si3483CDV Series 30 V 8 A 34 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - TSOP-6 P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 2W(Ta),4.2W(Tc) 1.6W(Ta)
功率 - 1.6W(Ta)
漏源极电压Vds 30V 30V
Vgs(th) 3V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TSOT-23-6 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
连续漏极电流Id 8A(Tc) 4.9A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1005pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) 34 mOhms @ 6.1A,10V 42 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1005pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
库存与单价
库存 2,879 1,272
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.124
100+ :  ¥1.692
750+ :  ¥1.524
1,500+ :  ¥1.44
20+ :  ¥2.736
100+ :  ¥2.184
750+ :  ¥1.956
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SI3483CDV-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8A(Tc) P-Channel 34 mOhms @ 6.1A,10V 2W(Ta),4.2W(Tc) TSOT-23-6 -55°C~150°C 30V

¥2.124 

阶梯数 价格
30: ¥2.124
100: ¥1.692
750: ¥1.524
1,500: ¥1.44
2,879 当前型号
FDC610PZ ON Semiconductor 通用MOSFET

4.9A(Ta) ±25V 1.6W(Ta) 42m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT P-Channel 30V 4.9A 42 毫欧 @ 4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

¥2.736 

阶梯数 价格
20: ¥2.736
100: ¥2.184
750: ¥1.956
1,272 对比
FDC610PZ ON Semiconductor 通用MOSFET

4.9A(Ta) ±25V 1.6W(Ta) 42m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT P-Channel 30V 4.9A 42 毫欧 @ 4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

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