SI4100DY-T1-E3 与 RS6P060BHTB1 区别
| 型号 | SI4100DY-T1-E3 | RS6P060BHTB1 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-SI4100DY-T1-E3 | A3-RS6P060BHTB1 | ||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 63 mOhm 20 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 | Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | HSOP8 (Single) | ||||||
| 功率耗散Pd | 2.5W(Ta),6W(Tc) | 73W | ||||||
| 连续漏极电流Id | 6.8A(Tc) | 60A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 63 mOhms @ 4.4A,10V | 10.6mΩ@60A,10V | ||||||
| Vgs(th) | 4.5V @ 250uA | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,300 | 100 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4100DY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.8A(Tc) N-Channel 63 mOhms @ 4.4A,10V 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 100V |
￥5.291
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2,300 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥17.815
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥25.1547
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
￥10.8952
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2,469 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P100BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 100A 100V HSOP8 (Single) 104W 5.9mΩ@90A,10V ±20V -55°C~150°C |
￥15.8589
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1,960 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6P060BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 73W 10.6mΩ@60A,10V -55°C~150°C ±20V 100V 60A |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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