SI4401DDY-T1-GE3 与 RSH070P05TB1 区别
| 型号 | SI4401DDY-T1-GE3 | RSH070P05TB1 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4401DDY-T1-GE3-1 | A32-RSH070P05TB1-4 | ||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET | MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 2W(Ta) | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ | - | ||||
| 上升时间 | 11ns | - | ||||
| Qg-栅极电荷 | 64nC | - | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4100pF @ 10V | ||||
| 栅极电压Vgs | 1.2V | - | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | 37S | - | ||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SOP | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 16.1A | - | ||||
| 配置 | Single | - | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 27 毫欧 @ 7A,10V | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V | ||||
| 下降时间 | 9ns | - | ||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||
| 漏源极电压Vds | 40V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 6.3W | - | ||||
| 典型关闭延迟时间 | 45ns | - | ||||
| FET类型 | - | P 通道 | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 2.5V @ 1mA | ||||
| 系列 | SI4 | - | ||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3007pF @ 20V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 7A(Ta) | ||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 45V | ||||
| 典型接通延迟时间 | 13ns | - | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 47.6nC @ 5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 89 | 2,500 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 7 - 14天 | ||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4401DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 16.1A 6.3W 15mΩ 40V 1.2V |
￥1.7572
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89 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥17.6462
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5,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥17.6462
|
5,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥16.9906
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5,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥5.0787
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||||
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RSH070P05TB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 8-SOP |
￥10.3299
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2,194 | 对比 |
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