SI4447ADY-T1-GE3 与 FDS4685 区别
| 型号 | SI4447ADY-T1-GE3 | FDS4685 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4447ADY-T1-GE3-1 | A3-FDS4685 | ||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET | P-Channel 40 V 27 mO 1.2 W PowerTrench Mosfet SOIC-8 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 45mΩ | 27m Ohms@8.2A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),4.2W(Tc) | 2.5W(Ta) | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SOIC | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 7.2A | 8.2A | ||
| 系列 | TrenchFET® | PowerTrench® | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 970pF @ 20V | 1872pF @ 20V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V | 27nC @ 5V | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 226 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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SI4447ADY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),4.2W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.2A 45mΩ |
¥1.6925
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226 | 当前型号 | ||||
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FDS4141F085 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7241TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 41mΩ@6.2A,10V P-Channel 40V 6.2A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FDS4685 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 27m Ohms@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 8.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FDS4685 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 27m Ohms@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 8.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FDS4685 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.2A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 27m Ohms@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 40V 8.2A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 |