SI4925DDY-T1-GE3 与 DMP3056LSD-13 区别
| 型号 | SI4925DDY-T1-GE3 | DMP3056LSD-13 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI4925DDY-T1-GE3-1 | A3-DMP3056LSD-13 | ||
| 制造商 | Vishay | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | Dual P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOP | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | 7.3A | 6.9A | ||
| 系列 | TrenchFET® | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29mΩ | 45mΩ@6A,10V | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1350pF @ 15V | 722pF @ 25V | ||
| 漏源极电压Vds | 3V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 5W | 2.5W | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | 13.7nC @ 10V | ||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 687 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
5W -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 7.3A 29mΩ 3V |
￥2.0051
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687 | 当前型号 | ||||
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||
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DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
45mΩ@6A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 6.9A |
暂无价格 | 34 | 对比 | ||||
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
45mΩ@6A,10V 2.5W -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 22,500 | 对比 |
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