SI7852DP-T1-GE3 与 RS6N120BHTB1 区别
| 型号 | SI7852DP-T1-GE3 | RS6N120BHTB1 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SI7852DP-T1-GE3 | A-RS6N120BHTB1 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET | Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16.5mΩ@10A,10V | 3.3m Ohms | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 80V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.9W(Ta) | 104W | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | HSOP8 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 7.6A(Ta) | ±135A | ||||||||||
| 系列 | SI | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA(最小) | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | - | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA(最小) | - | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 6,758 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SI7852DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V |
￥8.129
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6,758 | 当前型号 | ||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 130 | 对比 | ||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
￥25.2688
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7 | 对比 | ||||||||||||
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RS6N120BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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