SI9933CDY-T1-GE3 与 IRF7329PBF 区别
| 型号 | SI9933CDY-T1-GE3 | IRF7329PBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI9933CDY-T1-GE3 | A-IRF7329PBF | ||||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 0.058 Ohm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8 | Dual P-Channel 12 V 2 W 38 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 3.1W | 2W | ||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 12V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||
| FET类型 | 2P-Channel | P-Channel | ||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO | ||||
| 连续漏极电流Id | 4A | 9.2A | ||||
| 工作温度 | -50°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3450pF @ 10V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 57nC @ 4.5V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 58mΩ@4.8A,4.5V | 17mΩ@9.2A,4.5V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3450pF @ 10V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 57nC @ 4.5V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 766 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4A 2P-Channel 58mΩ@4.8A,4.5V ±12V 3.1W 8-SOIC -50°C~150°C 20V |
￥3.458
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766 | 当前型号 | ||||||
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IRF7304 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7329PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17mΩ@9.2A,4.5V 2W P-Channel 12V 9.2A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7304PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 90mΩ@2.2A,4.5V 2W P-Channel 20V 4.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF7304PBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7314TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 58mΩ@2.9A,4.5V 2W P-Channel 20V 5.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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