SIHP12N60E-GE3 与 STP10NK60Z 区别
| 型号 | SIHP12N60E-GE3 | STP10NK60Z | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-SIHP12N60E-GE3 | A36-STP10NK60Z | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 380mΩ | - | ||||||||||
| 上升时间 | 19ns | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 147W | - | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | 29nC | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 4V | - | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | 35ns | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 12A | - | ||||||||||
| 系列 | E | - | ||||||||||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||||||||||
| 配置 | Single | - | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 937pF @ 100V | - | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 58nC @ 10V | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||||
| 下降时间 | 19ns | - | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | 14ns | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 995 | 1,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHP12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V |
￥5.83
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995 | 当前型号 | ||||||||
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STP13NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
11A 90W 360mΩ 600V 25V TO-220-3 -55°C~150°C |
暂无价格 | 130,000 | 对比 | ||||||||
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STP11NM60 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 37,300 | 对比 | ||||||||
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STP10NK60Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||
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STP10NK60Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥9.735
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1,000 | 对比 | ||||||||
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STP11NM60 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥7.535
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850 | 对比 |
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