SIHP22N60E-GE3 与 STP24N60DM2 区别
| 型号 | SIHP22N60E-GE3 | STP24N60DM2 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SIHP22N60E-GE3 | A3t-STP24N60DM2 | ||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | E-Series N-Channel 600 V 227 W 0.18 O 86 nC Flange Mount Power Mosfet -TO-220AB | Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180 mOhms @ 11A,10V | 200mΩ@9A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 227W(Tc) | 150W(Tc) | ||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±25V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220 | ||||
| 连续漏极电流Id | 21A(Tc) | 18A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | FDmesh™ II Plus | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1055pF @ 100V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 10V | ||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 118 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SIHP22N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
21A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 227W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
￥6.842
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118 | 当前型号 | ||||||
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STP24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 416,050 | 对比 | ||||||
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IPP60R160P6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
160mΩ@9A,10V ±20V TO-220 -55°C~150°C 23.8A 600V 176W N-Channel |
暂无价格 | 500 | 对比 | ||||||
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|
STP24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
￥6.336
|
50 | 对比 | ||||||
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STP24N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STP24N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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