SIR422DP-T1-GE3 与 RS6G100BGTB1 区别
| 型号 | SIR422DP-T1-GE3 | RS6G100BGTB1 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SIR422DP-T1-GE3-1 | A3-RS6G100BGTB1 | ||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 零件号别名 | SIR422DP-GE3 | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.6mΩ@20A,10V | 3.4mΩ@90A,10V | ||
| 上升时间 | 84ns | - | ||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 34.7W | 59W | ||
| Qg-栅极电荷 | 48nC | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| 典型关闭延迟时间 | 28ns | - | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 70S | - | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | HSOP8 (Single) | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||
| 连续漏极电流Id | 20.5A | 100A | ||
| 系列 | SIR | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1785pF @ 20V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 48nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||
| 下降时间 | 11ns | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 19ns | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 85 | 160 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOIC-8 20.5A 34.7W 6.6mΩ@20A,10V 40V ±20V N-Channel |
￥2.3824
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85 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥11.3648
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2,494 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥25.5084
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1,599 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
暂无价格 | 160 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥10.1972
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100 | 对比 |
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