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SIR632DP-T1-RE3  与  RS6R060BHTB1  区别

型号 SIR632DP-T1-RE3 RS6R060BHTB1
唯样编号 A36-SIR632DP-T1-RE3 A32-RS6R060BHTB1-7
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 150V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 HSOP8 (Single)
功率耗散Pd 69.5W(Tc) 104W
连续漏极电流Id 29A(Tc) 60A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
漏源极电压Vds 150V 150V
Vgs(最大值) ±20V -
导通电阻Rds(On) 34.5 mOhms @ 10A,10V 21.8mΩ@60A,10V
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 2,548 2,500
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
8+ :  ¥6.688
100+ :  ¥5.566
750+ :  ¥5.159
1,500+ :  ¥4.906
10+ :  ¥25.8672
100+ :  ¥15.2497
500+ :  ¥13.7532
1,000+ :  ¥12.3992
2,500+ :  ¥10.3328
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR632DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

29A(Tc) N-Channel 34.5 mOhms @ 10A,10V 69.5W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55°C~150°C 150V

¥6.688 

阶梯数 价格
8: ¥6.688
100: ¥5.566
750: ¥5.159
1,500: ¥4.906
2,548 当前型号
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥25.8672 

阶梯数 价格
10: ¥25.8672
100: ¥15.2497
500: ¥13.7532
1,000: ¥12.3992
2,500: ¥10.3328
2,500 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥16.6734 

阶梯数 价格
9: ¥16.6734
10: ¥16.1943
30: ¥12.208
50: ¥11.4127
100: ¥10.8186
300: ¥10.4161
500: ¥10.3395
1,000: ¥10.282
1,025 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

¥18.9871 

阶梯数 价格
1: ¥18.9871
100: ¥9.4935
95 对比
RS6R060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60A 150V HSOP8 (Single) 104W ±20V 21.8mΩ@60A,10V -55°C~150°C

暂无价格 90 对比

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