SIS476DN-T1-GE3 与 BSZ0901NSI 区别
| 型号 | SIS476DN-T1-GE3 | BSZ0901NSI | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SIS476DN-T1-GE3 | A-BSZ0901NSI | ||
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.5 mOhms @ 15A,10V | 2.1mΩ@20A,10V | ||
| 上升时间 | - | 7.2ns | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 41nC | ||
| Vgs(th) | 2.3V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 50S | ||
| 封装/外壳 | SOT1210 | 8-PowerTDFN | ||
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 40A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 配置 | - | SingleQuadDrainTripleSource | ||
| 长度 | - | 3.3mm | ||
| Vgs(最大值) | +20V,-16V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 下降时间 | - | 4.6ns | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2600pF @ 15V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.2V @ 250µA | ||
| 高度 | - | 1mm | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 69W | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 27nS | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 5nS | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 41nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 92 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIS476DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel 2.5 mOhms @ 15A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) -55°C~150°C 30V SOT1210 |
￥4.235
|
92 | 当前型号 | ||||
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FDMC3020DC | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BSZ0901NSI | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 30V 40A 2.1mΩ@20A,10V ±20V 69W N-Channel 8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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