SIS862DN-T1-GE3 与 RH6L040BGTB1 区别
| 型号 | SIS862DN-T1-GE3 | RH6L040BGTB1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SIS862DN-T1-GE3 | A3-RH6L040BGTB1 |
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 60V, 40A, 0.0085 Ohms, PowerPAK 1212-8 | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | HSMT8 |
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 65A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5mΩ@20A,10V | 7.1mΩ@40A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 59W |
| Vgs(th) | 2.6V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 20 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥4.3403
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0 | 对比 |
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