SIS862DN-T1-GE3 与 RH6L040BGTB1 区别
| 型号 | SIS862DN-T1-GE3 | RH6L040BGTB1 | ||
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| 唯样编号 | A36-SIS862DN-T1-GE3 | A33-RH6L040BGTB1 | ||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | 60V, 40A, 0.0085 Ohms, PowerPAK 1212-8 | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | HSMT8 | ||
| 连续漏极电流Id | 40A(Tc) | 65A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.5mΩ@20A,10V | 7.1mΩ@40A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),52W(Tc) | 59W | ||
| Vgs(th) | 2.6V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 45 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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SIS862DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
40A(Tc) N-Channel ±20V 8.5mΩ@20A,10V 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
暂无价格 | 20 | 对比 | ||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥4.3403
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0 | 对比 |
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