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SISA12ADN-T1-GE3  与  NTTFS4C06NTWG  区别

型号 SISA12ADN-T1-GE3 NTTFS4C06NTWG
唯样编号 A36-SISA12ADN-T1-GE3 A3t-NTTFS4C06NTWG
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8 8-WDFN(3.3x3.3)
功率耗散Pd 3.5W(Ta),28W(Tc) -
连续漏极电流Id 25A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
漏源极电压Vds 30V -
Vgs(最大值) +20V,-16V -
导通电阻Rds(On) 4.3 mOhms @ 10A,10V -
Vgs(th) 2.2V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 11,817 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.124
100+ :  ¥1.692
750+ :  ¥1.524
1,500+ :  ¥1.44
3,000+ :  ¥1.356
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SISA12ADN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

25A(Tc) N-Channel 4.3 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),28W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V

¥2.124 

阶梯数 价格
30: ¥2.124
100: ¥1.692
750: ¥1.524
1,500: ¥1.44
3,000: ¥1.356
11,817 当前型号
CSD17577Q3A TI  数据手册 未分类

¥2.712 

阶梯数 价格
20: ¥2.712
100: ¥2.088
910 对比
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2.3W(Ta),45W(Tc) 4.2m Ohms@18.8A,10V -55°C~150°C(TJ) Power 18.8A N-Channel 30V 18.8A(Ta),24A(Tc) ±20V 4.2 毫欧 @ 18.8A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-MLP(3.3x3.3) 8-PowerWDFN

暂无价格 0 对比

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