STB20N65M5 与 IPB65R190CFD 区别
| 型号 | STB20N65M5 | IPB65R190CFD | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STB20N65M5 | A-IPB65R190CFD | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 151W | ||||
| 宽度 | - | 9.25mm | ||||
| 上升时间 | - | 8.4ns | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 650V | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 68nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 53.2ns | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | PG-TO263-3 | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 17.5A | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 系列 | - | CoolMOSCFD2 | ||||
| 长度 | - | 10mm | ||||
| 下降时间 | - | 6.4ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 12ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 171mΩ | ||||
| 高度 | - | 4.4mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 998 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥13.74
|
998 | 当前型号 | ||||||
|
IPB65R190CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 17.5A 171mΩ 20V 151W N-Channel -55°C~150°C PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
IPB65R150CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C PG-TO263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
