STB55NF06T4 与 IRFZ44ZSPBF 区别
| 型号 | STB55NF06T4 | IRFZ44ZSPBF | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STB55NF06T4 | A-IRFZ44ZSPBF | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | Single N-Channel 55 V 80 W 29 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 13.9mΩ@31A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 55V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 80W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 51A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1420pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 43nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1420pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 43nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 485 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STB55NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥4.202
|
485 | 当前型号 | ||||||
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NTB60N06T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
D²PAK |
暂无价格 | 564 | 对比 | ||||||
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PSMN015-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 86W 175°C 3V 60V 50A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFZ44ZSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 80W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@31A,10V N-Channel 55V 51A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRFZ44NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),94W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 17.5mΩ@25A,10V N-Channel 55V 49A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRL3705NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.8W(Ta),170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@46A,10V N-Channel 55V 89A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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