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STD13NM60N  与  STL13N60M2  区别

型号 STD13NM60N STL13N60M2
唯样编号 A36-STD13NM60N A-STL13N60M2
制造商 STMicroelectronics STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 360mΩ@5.5A,10V -
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 90W(Tc) -
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 DPAK PowerFLAT-5x6-8
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 11A -
系列 MDmesh™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 90W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 650V 11A

暂无价格 0 当前型号
STL13N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

PowerFLAT-5x6-8

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IPD65R380C6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
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IPD60R380C6ATMA1_-55°C~150°C(TJ) 10.6A 380mΩ 83W N-Channel 600V 10V

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STL13N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

PowerFLAT-5x6-8

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暂无价格 0 对比

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