STD2HNK60Z 与 AOD2N60A 区别
| 型号 | STD2HNK60Z | AOD2N60A | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STD2HNK60Z | A-AOD2N60A | ||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | AOS | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | - | 2.3 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.8Ω@1A,10V | 4700mΩ@10V | ||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||
| Qgd(nC) | - | 1.8 | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | 30V | ||||||||
| Td(on)(ns) | - | 16 | ||||||||
| 封装/外壳 | DPAK | TO-252 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 2A | 2A | ||||||||
| Ciss(pF) | - | 295 | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||
| Trr(ns) | - | 268 | ||||||||
| Td(off)(ns) | - | 28 | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | 57W | ||||||||
| Qrr(nC) | - | 1600 | ||||||||
| VGS(th) | - | 4.5 | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | SuperMESH™ | - | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA | - | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 280pF @ 25V | - | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 10V | - | ||||||||
| Coss(pF) | - | 30 | ||||||||
| Qg*(nC) | - | 6.5* | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 7,384 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
