STD4NK60ZT4 与 FCD2250N80Z 区别
| 型号 | STD4NK60ZT4 | FCD2250N80Z | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STD4NK60ZT4-1 | A-FCD2250N80Z | ||
| 制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | - | 39W(Tc) | ||
| 漏源极电压Vds | - | 800V | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-252-3 | TO-252AA | ||
| 连续漏极电流Id | - | 2.6A | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 系列 | - | SuperFET® II | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 260µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 585pF @ 100V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 导通电阻Rds(On) | - | 2.25 Ohms@1.3A,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 142 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STD4NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥1.2749
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142 | 当前型号 | ||||
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FCD2250N80Z | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.6A(Tc) ±20V 39W(Tc) 2.25 Ohms@1.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 800V 2.6A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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