STF18N60DM2 与 R6011KNX 区别
| 型号 | STF18N60DM2 | R6011KNX | ||||||
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| 唯样编号 | A36-STF18N60DM2 | A3-R6011KNX | ||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 53W(Tc) | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220FP | TO-220-3 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 11A(Tc) | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 1mA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 740pF @ 25V | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 390mΩ@3.8A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,000 | 512 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STF18N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
￥7.332
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1,000 | 当前型号 | ||||||||||
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R6011KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 11A(Tc) ±20V 53W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel |
暂无价格 | 512 | 对比 | ||||||||||
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R6011KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 11A(Tc) ±20V 53W(Tc) 390mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel |
￥7.5495
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0 | 对比 | ||||||||||
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R6013VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM |
￥25.511
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1,000 | 对比 | ||||||||||
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R6013VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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R6013VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM |
￥16.8747
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40 | 对比 |
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