STF18N60M2 与 TK12A60W,S4VX 区别
| 型号 | STF18N60M2 | TK12A60W,S4VX | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STF18N60M2-1 | A36-TK12A60W,S4VX | ||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Toshiba | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP | MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 35W(Tc) | ||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600 V | ||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 300 毫欧 @ 5.8A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 890 pF @ 300 V | ||||
| Vgs(th) | - | 3.7V @ 600uA | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 25 nC @ 10 V | ||||
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 | TO-220SIS | ||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 11.5A(Ta) | ||||
| FET功能 | - | 超级结 | ||||
| Vgs(最大值) | - | ±30V | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 1 | 100 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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STF18N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 1 | 当前型号 | ||||||||||
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STFH18N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 13,708 | 对比 | ||||||||||
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R6020JNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-220FM |
￥44.4661
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
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IPA60R280P7S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
280mΩ 600V 12A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 3V,4V |
暂无价格 | 500 | 对比 | ||||||||||
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R6015KNX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 600V 15A(Tc) ±20V 60W(Tc) 290mΩ@6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 150 | 对比 | ||||||||||
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TK12A60W,S4VX | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 35W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 600 V 11.5A(Ta) |
￥2.893
|
100 | 对比 |
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