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STL220N6F7  与  AON6160  区别

型号 STL220N6F7 AON6160
唯样编号 A36-STL220N6F7 A-AON6160
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 60V, 260A, 1.4MOHM, N-CH, POWER 56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
功率耗散Pd - 215W
连续漏极电流Id - 100A
工作温度 - -55°C~150°C
漏源极电压Vds - 60V
导通电阻Rds(On) - 1.58mΩ@20A,10V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 5,980 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
6+ :  ¥9.62
100+ :  ¥8.359
750+ :  ¥7.605
1,500+ :  ¥7.319
3,000+ :  ¥7.072
3,000+ :  ¥6.8
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STL220N6F7 STMicro  数据手册 未分类

¥9.62 

阶梯数 价格
6: ¥9.62
100: ¥8.359
750: ¥7.605
1,500: ¥7.319
3,000: ¥7.072
5,980 当前型号
AON6160 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 60V ±20V 100A 215W 1.58mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥6.8 

阶梯数 价格
3,000: ¥6.8
0 对比
SIR662DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ

暂无价格 0 对比
SIR662DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ

暂无价格 0 对比

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