STL220N6F7 与 SIR662DP-T1-GE3 区别
| 型号 | STL220N6F7 | SIR662DP-T1-GE3 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A36-STL220N6F7 | A-SIR662DP-T1-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | 60V, 260A, 1.4MOHM, N-CH, POWER 56 | MOSFET | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 6.25W(Ta),104W(Tc) | ||||||||||
| 宽度 | - | 5.15 mm | ||||||||||
| 零件号别名 | - | SIR662DP-GE3 | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | SOIC-8 | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 60A | ||||||||||
| 系列 | - | SIR | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA | ||||||||||
| 长度 | - | 6.15 mm | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4365pF @ 30V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 96nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 2.7mΩ | ||||||||||
| 高度 | - | 1.04 mm | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 5,980 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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STL220N6F7 | STMicro | 数据手册 | 未分类 |
￥9.62
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5,980 | 当前型号 | |||||||||||||
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AON6160 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 60V ±20V 100A 215W 1.58mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥6.8
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0 | 对比 | ||||||||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 6.25W(Ta),104W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 60A 2.7mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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