STP10NK60Z 与 SIHP12N60E-GE3 区别
| 型号 | STP10NK60Z | SIHP12N60E-GE3 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-STP10NK60Z | A36-SIHP12N60E-GE3 | ||||||||||
| 制造商 | STMicroelectronics | Vishay | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB | E-Series N-Channel 600 V 147 W 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 380mΩ | ||||||||||
| 上升时间 | - | 19ns | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 147W | ||||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 29nC | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 4V | ||||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 12A | ||||||||||
| 系列 | - | E | ||||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 937pF @ 100V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 58nC @ 10V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 下降时间 | - | 19ns | ||||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 14ns | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 1,000 | 995 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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STP10NK60Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥9.735
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1,000 | 当前型号 | ||||||||
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AOT10N60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 600V 30V 10A 250W 750mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SPP07N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
83W 600mΩ 600V 7.3A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SIHP12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V |
￥5.83
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995 | 对比 | ||||||||
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|
SIHP12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 12A 147W 380mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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